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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TTC007(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-23 |
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| TTC007(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-23 |
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| TTC008 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN Bipolar Transistor, 285 V, 1.5 A, New PW-Mold2 |
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| TTC008(Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 285V 1.5A 3-Pin(3+Tab) PW-Mold |
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| TTC009 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type |
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| TTC011B | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN Bipolar Transistor, 230 V, 1 A, TO-126N |
|
| TTC012 | TOSHIBA |
获取价格 |
Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type |
|
| TTC013 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN Bipolar Transistor, 350 V, 0.5 A, PW-Mini |
|
| TTC014 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN Bipolar Transistor, 800 V, 1 A, New PW-Mold |
|
| TTC015B | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN Bipolar Transistor, 80 V, 2 A, TO-126N |
|
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