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TTC008(Q)

更新时间： 2024-10-30 21:13:51

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东芝 - TOSHIBA		/
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7页	177K
描述
Trans GP BJT NPN 285V 1.5A 3-Pin(3+Tab) PW-Mold

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TTC008(Q) 技术参数

TTC008

Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type

TTC008

1. Applications

•

High-Speed High-Voltage Switching

Switching Voltage Regulators

High-Speed DC-DC Converters

2. Features

(1) High collector-emitter voltage: VCEO = 285 V, VCES = 600 V

(2) High DC current gain: hFE = 100 to 200 (IC = 0.3 A)

(3) Excellent switching times: tf = 0.1 µs (typ.)

3. Packaging and Internal Circuit

1. Base

2. Collector

3. Emitter

New PW-Mold2

Start of commercial production

2010-05

2014-04-03

Rev.2.0

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TTC009	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
TTC011B	TOSHIBA	获取价格	NPN Bipolar Transistor, 230 V, 1 A, TO-126N
TTC012	TOSHIBA	获取价格	Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type
TTC013	TOSHIBA	获取价格	NPN Bipolar Transistor, 350 V, 0.5 A, PW-Mini
TTC014	TOSHIBA	获取价格	NPN Bipolar Transistor, 800 V, 1 A, New PW-Mold
TTC015B	TOSHIBA	获取价格	NPN Bipolar Transistor, 80 V, 2 A, TO-126N
TTC016	TOSHIBA	获取价格	NPN Bipolar Transistor, 50 V, 5 A, New PW-Mold
TTC017	TOSHIBA	获取价格	NPN Bipolar Transistor, 80 V, 3 A, New PW-Mold
TTC018	TOSHIBA	获取价格	NPN Bipolar Transistor, 500 V, 0.1 A, PW-Mini
TTC019	TOSHIBA	获取价格	NPN Bipolar Transistor, 50 V, 5 A, PW-Mini