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TTC021

更新时间: 2024-09-24 14:57:35
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
7页 295K
描述
NPN Bipolar Transistor, 120 V, 3 A, PW-Mini

TTC021 数据手册

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TTC021  
Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type  
TTC021  
1. Applications  
High-Speed Switching  
DC-DC Converters  
2. Features  
(1) High DC current gain: hFE = 120 to 240 (VCE = 2 V, IC = 0.3 A)  
(2) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.15 V (max) (IC = 1.0 A, IB = 0.1 A)  
(3) High-speed switching: tf = 170 ns (typ.) (IC = 1.0 A)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1. Base  
2. Collector (Heatsink)  
3. Emitter  
PW-Mini  
Start of commercial production  
2022-10  
©2022-2023  
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  
2023-01-18  
Rev.2.0  
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