Datasheet > TTC004B

TTC004B

更新时间： 2024-09-13 20:06:27

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	175K
描述
TRANSISTOR POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TTC004B 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TO-126N, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.32
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	140
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

TTC004B 数据手册

TTC004B

Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type

TTC004B

1. Applications

•

Audio-Frequency Amplifiers

2. Features

(1) High collector voltage: VCEO = 160 V (min)

(2) Complementary to TTA004B

(3) Small collector output capacitance: Cob = 12 pF (typ.)

(4) High transition frequency: fT = 100 MHz (typ.)

3. Packaging and Internal Circuit (Note)

1. Emitter

2. Collector

3. Base

TO-126N

Note: Although this device is encapsulated in epoxy resin, it does not provide any guarantee to the maximum isolation

voltage. Therefore, as with the case with non-isolated devices, care should be taken with regard to electrical

isolation from surrounding parts.

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25  unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulsed)

Base current

VCBO

VCEO

VEBO

160

(Note 1)

1.5

ICP

2.5

0.5

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.5

(Tc = 25 )

150

-55 to 150



Tstg

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Ensure that the junction temperature does not exceed 150 .

2013-09-11

Rev.1.0

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与TTC004B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TTC005	TOSHIBA	获取价格	NPN Bipolar Transistor, 285 V, 1.0 A, PW-Mini
TTC007	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Type
TTC007(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-23
TTC007(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-23
TTC008	TOSHIBA	获取价格	NPN Bipolar Transistor, 285 V, 1.5 A, New PW-Mold2
TTC008(Q)	TOSHIBA	获取价格	Trans GP BJT NPN 285V 1.5A 3-Pin(3+Tab) PW-Mold
TTC009	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
TTC011B	TOSHIBA	获取价格	NPN Bipolar Transistor, 230 V, 1 A, TO-126N
TTC012	TOSHIBA	获取价格	Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type
TTC013	TOSHIBA	获取价格	NPN Bipolar Transistor, 350 V, 0.5 A, PW-Mini

与TTC004B相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

78
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

69
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

99
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

113

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TTC004B

TTC004B 技术参数

TTC004B 数据手册

与TTC004B相关器件

与TTC004B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TTC004B

TTC004B 技术参数

TTC004B 数据手册

与TTC004B相关器件

与TTC004B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？