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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
9页 | 750K | |
描述 | ||
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由 |
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TTB85N08AA | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T | |
TTB95N68A | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T | |
TTC | MERITEK |
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NTC Thermistors | |
TTC Series | MERITEK |
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TTC Series | Radial Leaded NTC | |
TTC0001 | TOSHIBA |
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Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type | |
TTC0001(F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,160V V(BR)CEO,18A I(C),TO-247VAR | |
TTC0001(Q) | TOSHIBA |
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暂无描述 | |
TTC0002 | TOSHIBA |
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Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type | |
TTC0002(Q) | TOSHIBA |
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Trans GP BJT NPN 160V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL | |
TTC004B | TOSHIBA |
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TRANSISTOR POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |