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TTB95N68A

更新时间： 2024-10-27 17:01:35

品牌	Logo	应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		栅
页数	文件大小	规格书
12页	1014K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。同时由

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TTB95N68A 数据手册

TTB95N68A,TTP95N68A

Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.

68V N-Channel Trench MOSFET

Product Summary

General Description

 Trench Power Technology

 Low R_DS(ON)

VDS

68V

95A

I_D(at V_GS=10V)

 Low Gate Charge

 Optimized for Fast-switching Applications`

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

< 7.5mΩ

Applications

100% UIS Tested

 Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters

 Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial

TO-263

TO-220

Device

Package

Form

Marking

TTB95N68A

TTP95N68A

TO-263

TO-220

Tape&Reel

Tube

95N68A

Absolute Maximum Ratings (T_A=25ºC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

±20

T_C= 25ºC

Continuous Drain Current

I_D

T_C= 100ºC

Pulsed Drain Current

I_DM

I_AS

285

Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

L =0.3mH

E_AS

380

T_C= 25ºC

130.5

65.5

Power Dissipation

P_D

T_C= 100ºC

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

-55 to 175

ºC

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Maximum

Units

Maximum Junction-to-Case

Steady-State

R_thJC

R_thJA

1.15

100

ºC /W

Maximum Junction-to-Ambient

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TTC	MERITEK	获取价格	NTC Thermistors
TTC Series	MERITEK	获取价格	TTC Series \| Radial Leaded NTC
TTC0001	TOSHIBA	获取价格	Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
TTC0001(F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,160V V(BR)CEO,18A I(C),TO-247VAR
TTC0001(Q)	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
TTC0002	TOSHIBA	获取价格	Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
TTC0002(Q)	TOSHIBA	获取价格	Trans GP BJT NPN 160V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
TTC004B	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
TTC005	TOSHIBA	获取价格	NPN Bipolar Transistor, 285 V, 1.0 A, PW-Mini
TTC007	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Type