TPCS8009-H

更新时间： 2024-11-24 03:26:47

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东芝 - TOSHIBA		晶体转换器稳压器开关小信号场效应晶体管光电二极管
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7页	235K
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High-Speed Switching Applications Switching Regulator Applications DC/DC Converter Applications

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TPCS8009-H 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	2-3R1F, 8 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	2.1 A
最大漏源导通电阻：	0.35 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPCS8009-H 数据手册

TPCS8009-H

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (MACHⅡπ-MOSⅤ)

TPCS8009-H

High-Speed Switching Applications

Unit: mm

Switching Regulator Applications

DC/DC Converter Applications

•

Low drain-source ON-resistance: R

= 0.27 Ω (typ.)

DS (ON)

High forward transfer admittance: |Y | = 2.1 S (typ.)

Low leakage current: I

= 100 μA (max) (V

= 150 V)

DSS

Enhancement model: V = 2.0~4.0 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

1.2.3.

Source

Gate

Characteristic

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

5.6.7.8 Drain

JEDEC

―

150

±20

2.1

DSS

Drain-gate voltage (R

Gate-source voltage

= 20 kΩ)

JEITA

DGR

GSS

TOSHIBA

2-3R1F

(Note 1)

Weight: 0.036 g (typ.)

Drain current

Pulse (Note 1)

8.4

Drain power dissipation (t = 10 s)

(Note 2a)

Circuit Configuration

1.5

0.6

Drain power dissipation (t = 10 s)

(Note 2b)

Single-pulse avalanche energy(Note3)

Avalanche current

2.1

Repetitive avalanche energy

(Note2a, Note 4)

0.15

Channel temperature

150

°C

Storage temperature range

−55~150

stg

Note: For Notes 1 to 4, refer to the next page.

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate

reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and

Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.

2006-11-20

12 3 4 5 6 7

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