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TPCS8101

更新时间： 2024-11-23 22:42:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 316K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS II)

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TPCS8101 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：2-3R1B, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.9
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：46.8 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPCS8101 数据手册

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TPCS8101  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS II)  
TPCS8101  
Lithium Ion Battery Applications  
Portable Equipment Applications  
Notebook PCs  
Unit: mm  
l Small footprint due to small and thin package  
l Low drain-source ON resistance: R = 15 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
l High forward transfer admittance: |Y | = 12 S (typ.)  
fs  
l Low leakage current: I  
= −10 µA (max) (V  
l Enhancement-mode: V = −0.8~−2.0 V (V  
= −30 V)  
DSS  
th  
DS  
= −10 V, I = −1 mA)  
DS  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
−30  
−30  
±20  
−6  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
−24  
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 10 s)  
(Note 2a)  
P
1.5  
0.6  
W
W
D
D
TOSHIBA  
2-3R1B  
(t = 10 s)  
(Note 2b)  
P
Weight: 0.035 g (typ.)  
Single pulse avalanche energy  
(Note 3)  
E
I
46.8  
−6  
mJ  
A
AS  
Avalanche current  
Circuit Configuration  
AR  
Repetitive avalanche energy  
E
0.15  
mJ  
AR  
(Note 2a, Note 4)  
T
150  
°C  
°C  
Channel temperature  
ch  
T
−55 to 150  
Storage temperature range  
stg  
Note: For (Note 1), (Note 2), (Note 3) and (Note 4), please refer to the  
next page.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with  
caution.  
1
2003-02-20  
1234567

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与TPCS8101相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPCS8101(TE12L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,6A I(D),SO
TPCS8102 TOSHIBA

获取价格

 		Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Notebook PCs
TPCS8102(TE12L) TOSHIBA

获取价格

 		MOSFET P-CH 20V 6A 8-TSSOP
TPCS8102_06 TOSHIBA

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 		Lithium-Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Notebook PC Applications
TPCS8104 TOSHIBA

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 		TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
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 		Small Signal Field-Effect Transistor
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 		Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications
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