TPCP8510

更新时间： 2024-02-18 11:02:51

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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描述
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

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TPCP8510 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.78	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPCP8510 数据手册

TPCP8510

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

TPCP8510

Unit: mm

High-Speed, High-Voltage Switching Applications

DC-DC Converter Applications

0.33±0.05

0.05

•

High DC current gain: h_FE= 120 to 300 (I_C= 0.1 A)

Low collector-emitter saturation: V_{CE (sat)}= 0.14 V (max)

High-speed switching: t_f= 0.2 μs (typ)

0.475

0.05

0.65

2.9±0.1

0.8±0.05

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

0.025

+0.1

0.28

0.17±0.02

-0.11

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

+0.13

-0.12

1.12

180

150

CBO

+0.13

-0.12

CEX

CEO

EBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

+0.1

0.28

-0.11

120

1.Emitter 5.Collector

2.Emitter 6.Collector

3.Emitter 7.Collector

(Note 1)

1.0

Collector current

Base current

4.Base

8.Collector

Pulse (Note 1)

2.0

0.1

JEDEC

JEITA

―

t = 10s

2.25

1.1

Collector power

dissipation

(Note 2)

TOSHIBA

2-3V1Q

Junction temperature

150

°C

Weight: 0.017 g (typ.)

Storage temperature range

−55 to 150

stg

Note 1: Please use devices on condition that the junction temperature

is below 150°C.

Note 2: Mounted on FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area: 645 mm²)

Note 3: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Figure 1. Circuit configuration (top view)

Figure 2. Marking

8ꢀ7ꢀ6ꢀ5

Type

8510

Lot No.

●

※

1ꢀ2ꢀ3ꢀ4

Pin #1

1ꢀ2ꢀ3ꢀ4

2009-07-14

12 3 4 5

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