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TPCP8BA1

更新时间： 2024-11-05 21:13:31

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	58K
描述
TRANSISTOR 1300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal

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TPCP8BA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.3 A
最大漏极电流 (ID)：	1.3 A	最大漏源导通电阻：	0.46 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPCP8BA1 数据手册

TPCP8BA1

Silicon P Channel MOS Type (U-MOS-II) / Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode

TENTATIVE

TPCP8BA1

単位: mm

○DC-DC Converter

•

Combined Pch MOSFET and Schottky Diode into one Package.

Low R and Low V

DS (ON)

Maximum Ratings (Ta = 25°C) MOSFET

Characteristics

Drain-Source voltage

Symbol

Rating

Unit

−20

±12

Gate-Source voltage

GSS

1:Anode

2:N/C

3:Source

4:Gate

−1.3

−2.6

Drain current

Pulse

(Note 2)

5,6:Drain

7,8:Cathode

Drain power dissipation

Channel temperature

(Note 1)

1.0

JEDEC



150

°C

JEITA

TOSHIBA TOSHIBA

Maximum Ratings (Ta = 25°C) SCHOTTKY DIODE

Weight: mg (typ)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Maximum (peak) reverse voltage

Reverse voltage

Average forward current

0.7

Peak one cycle surge forward current

(non-repetitive)

4 (50 Hz)

FSM

Junction temperature

125

°C

Maximum Ratings (Ta = 25°C) MOSFET, DIODE COMMON

Characteristics

Storage temperature

Symbol

Rating

−55~125

−40~85

Unit

stg

°C

opr

Operating temperature

(Note 3)

Note 1: Mounted on FR4 board

(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu pad: 645 mm²)

Note 2: The pulse width limited by max channel temperature.

Note 3: Operating temperature limited by max channel temperature and max junction temperature.

Handling Precaution

When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the

environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear anti-static clothing and use

containers and other objects that are made of anti-static materials.

The Channel-to-Ambient thermal resistance R

and the drain power dissipation P vary according to

th (ch-a)

the board material, board area, board thickness and pad area. When using this device, please take heat

dissipation fully into account.

2003-12-19

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TPCP8F01	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Multi-chip Device Silicon PNP Epitaxial Transistor , Field Effect Transistor Silic
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