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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.6 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 100 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPCP8BA1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| TPCP8F01 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Multi-chip Device Silicon PNP Epitaxial Transistor , Field Effect Transistor Silic |
|
| TPCP8G01 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3V1N, 8 PIN, BIP General Pur |
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| TPCP8H01 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN Epitaxial Type, Field Effect Transistor Silicon |
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| TPCP8H02 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN Epitaxial Type, Field Effect Transistor Silicon |
|
| TPCP8J01 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) ?Silicon NPN Epitaxial Type |
|
| TPCP8J01(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFET N/P-CH 32V 2-3V1G |
|
| TPCP8J01(TE85LFM) | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| TPCP8J01_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) /Silicon NPN Epitaxial Type |
|
| TPCP8L01 | TOSHIBA |
获取价格 |
Bipolar Small-Signal Transistors |
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