5秒后页面跳转
TPCP8511 PDF预览

TPCP8511

更新时间: 2024-09-24 19:45:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 178K
描述
TRANSISTOR POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

TPCP8511 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PDSO-F8元件数量:1
端子数量:8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

TPCP8511 数据手册

 浏览型号TPCP8511的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TPCP8511的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TPCP8511的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TPCP8511的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TPCP8511的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TPCP8511的Datasheet PDF文件第7页 
TPCP8511  
Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type  
TPCP8511  
1. Applications  
High-Speed Switching  
DC-DC Converters  
Photo Flashes  
2. Features  
(1) High DC current gain: hFE = 250 to 400 (IC = 0.3 A)  
(2) Low collector-emitter saturation: VCE(sat) = 0.18 V(max)(IB = 33 mA)  
(3) High-speed switching: tf = 38 ns(typ.)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1. Collector 5. Emitter  
2. Collector 6. Collector  
3. Collector 7. Collector  
4. Base  
8. Collector  
PS-8  
2012-09-06  
Rev.2.0  
1

与TPCP8511相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPCP8511(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

TPCP8511(TE85L,F)
TPCP8512 TOSHIBA

获取价格

NPN Bipolar Transistor, 50 V, 5 A, PS-8
TPCP8513 TOSHIBA

获取价格

NPN Bipolar Transistor, 80 V, 4 A, PS-8
TPCP8514 TOSHIBA

获取价格

NPN Bipolar Transistor, 120 V, 3 A, PS-8
TPCP8516 TOSHIBA

获取价格

NPN Bipolar Transistor, 50 V, 3 A, PS-8
TPCP8601 TOSHIBA

获取价格

Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
TPCP8601(TE85L) TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,4A I(C),TSOP
TPCP8602 TOSHIBA

获取价格

High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Flash Applications
TPCP8602(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

TPCP8602(TE85L,F)
TPCP8603 TOSHIBA

获取价格

High-Speed Switching Applications DC/DC Converters Strobe Applications