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TPCP8102 PDF预览

TPCP8102

更新时间： 2024-11-10 03:26:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 238K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS コ)

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TPCP8102 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Not Recommended
包装说明：2-3V1K, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.29Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.2 A最大漏极电流 (ID)：7.2 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F8JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.68 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCP8102 数据手册

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TPCP8102  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS Ⅳ)  
TPCP8102  
Notebook PC Applications  
Unit: mm  
Portable Equipment Applications  
0.33±0.05  
A
M
0.05  
8
5
•
•
•
•
•
Small footprint due to small and thin package  
Low drain-source ON-resistance: R = 13.5 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 24 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= -10 μA (max) (V  
= -20 V)  
DSS  
DS  
0.475  
1
4
B
B
M
0.05  
0.65  
Enhancement model: V = -0.45 to -1.2 V  
th  
2.9±0.1  
A
(V  
DS  
= -10 V, I = -200 μA)  
D
0.8±0.05  
S
0.025  
+0.1  
-0.11  
S
0.28  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.17±0.02  
+0.13  
-0.12  
1.12  
1.12  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
+0.13  
-0.12  
-20  
-20  
V
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
+0.1  
-0.11  
GS  
DGR  
0.28  
1. Source  
2. Source  
3. Source  
4. Gate  
5. Drain  
6. Drain  
7. Drain  
8. Drain  
± 12  
-7.2  
-28.8  
V
GSS  
I
DC  
(Note 1)  
D
Drain current  
A
I
Pulse (Note 1)  
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 5 s)  
1.68  
0.84  
W
W
P
D
D
JEDEC  
JEITA  
⎯
(Note 2a)  
⎯
(t = 5 s)  
(Note 2b)  
P
TOSHIBA  
2-3V1K  
33.7  
-7.2  
mJ  
A
Single-pulse avalanche energy(Note 3)  
Avalanche current  
E
AS  
Weight: 0.017 g (typ.)  
I
AR  
0.168  
150  
Repetitive avalanche energy (Note 4)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
ch  
-55~150  
Storage temperature range  
T
stg  
Note: For Notes 1 to 5, refer to the next page.  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
Circuit Configuration  
Marking (Note 5)  
8
7
5
6
8
7
6
5
8102  
※
1
2
3
4
2
1
4
3
Lot No.  
1
2006-11-17  
1234567

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