Datasheet > TPCP8205-H

TPCP8205-H

更新时间： 2024-02-09 12:44:05

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	333K
描述
TRANSISTOR 6500 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, THIN, 2-3V1S, 8 PIN, FET General Purpose Small Signal

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TPCP8205-H 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	6.5 A
最大漏源导通电阻：	0.029 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPCP8205-H

MOSFET シリコンNチャネルMOS形(U-MOS-H)

TPCP8205-H

1. 用途

•

モータドライブ用

•

携帯電子機器用

2. 特長

(1) 小型, 薄型で実装面積が小さい。

(2) スイッチングスピードが速い。

(3) オン抵抗が低い。: RDS(ON) = 20 mΩ (標準) (VGS = 10 V)

(4) 漏れ電流が低い。: IDSS = 10 µA (最大) (VDS = 30 V)

(5) 取り扱いが簡単な, エンハンスメントタイプです。: Vth = 1.32.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)

3. 外観と内部回路構成図

1: ソース1

2: ゲート1

3: ソース2

4: ゲート2

5, 6: ドレイン2

7, 8: ドレイン1

PS-8

2012-12-13

Rev.4.0

12 3 4 5 6 7...9

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TPCP8205-H(TE85L)	TOSHIBA	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,6.5A I(D),LLCC	获取价格
TPCP8205-H(TE85L,F)	TOSHIBA	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,6.5A I(D),LLCC	获取价格
TPCP8206	TOSHIBA	TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal	获取价格
TPCP8206(TE85L,F)	TOSHIBA	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,6A I(D),LLCC	获取价格
TPCP8206,LF(CM	TOSHIBA	Small Signal Field-Effect Transistor	获取价格
TPCP8207	TOSHIBA	TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal	获取价格