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TPCP8401 PDF预览

TPCP8401

更新时间： 2024-02-06 01:34:13
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 279K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P, N Channel MOS Type (U-MOS ゲ / ヰ-MOS サ)

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TPCP8401 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.1 A
最大漏极电流 (ID)：0.1 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPCP8401 数据手册

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TPCP8401  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P, N Channel MOS Type (U-MOS Ⅲ / π-MOS Ⅵ)  
TPCP8401  
○Switching Regulator Applications  
○Load Switch Applications  
Unit: mm  
0.33±0.05  
•
•
Lead(Pb)-Free  
A
M
0.05  
5
8
Multi-chip discrete device; built-in P channel MOS FET for main  
switch and N Channel MOS FET for drive  
•
•
Small footprint due to small and thin package  
Low drain-source ON resistance  
0.475  
1
4
B
: P Channel R  
= 31 mΩ (typ.)  
B
M
0.05  
DS (ON)  
0.65  
2.9±0.1  
•
Low drain-source ON resistance  
High forward transfer admittance  
A
0.8±0.05  
: P Channel |Y | = 13 S (typ.)  
fs  
S
0.025  
+0.1  
S
0.28  
0.17±0.02  
-0.11  
•
•
Low leakage current  
+0.13  
-0.12  
: P Channel I  
= −10 μA (V  
= −12 V)  
DSS  
DS  
1.12  
1.12  
Enhancement−mode  
: P Channel V = −0.5 to −1.2 V (V  
+0.13  
-0.12  
= −10 V, I = −200 μA)  
th  
DS  
D
+0.1  
5．Gate(Pch)  
6．Source(Pch)  
7．Gate(Nch)  
8．Drain(Nch)  
1．Source(Nch）  
2．Drain(Pch)  
3．Drain(Pch)  
4．Drain(Pch)  
0.28  
-0.11  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
P-ch  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
TOSHIBA  
2-3V1G  
V
−12  
−12  
V
V
V
DSS  
Weight: 0.017 g (typ.)  
V
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
±8  
GSS  
Circuit Configuration  
DC  
(Note 1)  
I
−5.5  
−22.0  
D
Drain current  
A
8
7
5
6
Pulse (Note 1)  
I
DP  
Drain power dissipation  
Drain power dissipation  
(t = 5 s)  
(Note 2a)  
(t = 5 s)  
P
1.96  
1.0  
W
W
D
D
P
(Note 2b)  
Single pulse avalanche energy  
(Note 3)  
E
5.3  
−2.8  
0.22  
150  
mJ  
A
AS  
2
1
4
3
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
E
mJ  
°C  
AR  
Marking (Note5)  
(Note 2a) (Note 4)  
Channel temperature  
8
7
6
5
T
ch  
8401  
※
1
2
3
4
Lot No.  
1
2006-11-13  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPCP8401_07 TOSHIBA

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 		TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P, N
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