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TPCP8406,LF(CM

更新时间： 2024-02-08 20:11:49

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	351K
描述
6000mA, 40V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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TPCP8406,LF(CM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.036 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPCP8406

MOSFETs Silicon P-/N-Channel MOS (U-MOS/U-MOS-H)

TPCP8406

1. Applications

•

Cell Phones

•

Motor Drivers

2. Features

(1) Low drain-source on-resistance

P-channel RDS(ON) = 33 mΩ (typ.) (VGS = -10 V),

N-channel RDS(ON) = 24 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(2) Low leakage current

P-channel IDSS = -10 µA (VDS = -40 V),

N-channel IDSS = 10 µA (VDS = 40 V)

(3) Enhancement mode

P-channel Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -0.1 mA),

N-channel Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Source 1

2: Gate 1

3: Source 2

4: Gate 2

5, 6: Drain 2

7, 8: Drain 1

PS-8

2011-03-14

Rev.2.0

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TPCP8407	TOSHIBA	获取价格	PN Complementary
TPCP8407,LF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor
TPCP8501	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
TPCP8503	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 0.05 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-3V1D, 8 PIN, BIP General Purpose Po
TPCP8504	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
TPCP8504(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,2A I(C),TSOP
TPCP8505	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process
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