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TPCP8503

更新时间： 2024-09-17 21:19:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 217K
描述
TRANSISTOR 0.05 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-3V1D, 8 PIN, BIP General Purpose Power

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TPCP8503 技术参数

生命周期：Active包装说明：2-3V1D, 8 PIN
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-F8元件数量：1
端子数量：8最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPCP8503 数据手册

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TPCP8503  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type  
TPCP8503  
High-Voltage Switching Applications  
Unit: mm  
0.33±0.05  
M
A
0.05  
8
5
•
•
High breakdown voltage: V  
= 600 V  
CEO  
Low saturation voltage: V  
= 1.0 V (max)  
CE (sat)  
(I = 20 mA, I = 0.5 mA)  
C
B
0.475  
1
4
B
B
0.05 M  
0.65  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
2.9±0.1  
A
0.8±0.05  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
S
0.025  
+0.1  
S
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
600  
600  
V
V
V
0.28  
0.17±0.02  
-0.11  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
+0.13  
-0.12  
1.12  
1.12  
7
+0.13  
-0.12  
DC  
I
50  
C
Collector current (Note 1)  
Base current  
mA  
Pulse  
I
100  
CP  
+0.1  
0.28  
-0.11  
1. NC  
5. NC  
I
B
25  
mA  
W
2. COLLECTOR  
3. COLLECTOR  
4. COLLECTOR  
6. EMITTER  
7. NC  
t=10s  
DC  
2.2  
Collector power dissipation  
(Note 2)  
PC  
1.1  
W
8. BASE  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
JEDEC  
JEITA  
―
―
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
TOSHIBA  
2-3V1D  
Weight: 0.36 g (typ.)  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
1
2006-11-16  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		TRANSISTOR POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

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