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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.44 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPCP8503 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.05 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-3V1D, 8 PIN, BIP General Purpose Po |
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| TPCP8504 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type |
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| TPCP8504(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,2A I(C),TSOP |
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| TPCP8505 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process |
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| TPCP8505(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TPCP8505(TE85L) |
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| TPCP8505(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TPCP8505(TE85L,F) |
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| TPCP8507 | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Speed Switching Applications DC/DC Converters |
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| TPCP8507(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,120V V(BR)CEO,1A I(C),TSOP |
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| TPCP8507(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,120V V(BR)CEO,1A I(C),TSOP |
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| TPCP8510 | TOSHIBA |
获取价格 |
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type |
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