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TPCP8207

更新时间： 2024-02-25 06:46:50

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	238K
描述
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal

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TPCP8207 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.0628 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPCP8207

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)

TPCP8207

1. Applications

•

Motor Drivers

•

Mobile Equipment

2. Features

(1) Small footprint due to a small and thin package

(2) Small gate charge : QSW = 4.7 nC (typ.)

(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 29.1 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(4) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 40 V)

(5) Enhancement mode: Vth = 2 to 3 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Source(1)

2: Gate(1)

7, 8: Drain(1)

3: Source(2)

4: Gate(2)

5, 6: Drain(2)

PS-8

2012-06-14

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TPCP8207(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,5A I(D),FP
TPCP8301	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Cha
TPCP8302	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Cha
TPCP8302_08	TOSHIBA	获取价格	Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅣ)
TPCP8303	TOSHIBA	获取价格	Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications
TPCP8303(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3.8A I(D),TSOP
TPCP8303(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3.8A I(D),TSOP
TPCP8305	TOSHIBA	获取价格	Bipolar Small-Signal Transistors
TPCP8306	TOSHIBA	获取价格	Bipolar Small-Signal Transistors
TPCP8401	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P, N