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TPCP8201

更新时间： 2024-02-15 08:58:05
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 250K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)

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TPCP8201 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.86Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.2 A最大漏极电流 (ID)：4.2 A
最大漏源导通电阻：0.077 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPCP8201 数据手册

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TPCP8201  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)  
TPCP8201  
Portable Equipment Applications  
Motor Drive Applications  
Unit: mm  
DC-DC Converter Applications  
0.33±0.05  
A
M
0.05  
5
8
•
•
•
•
•
Lead(Pb)-Free  
Low drain-source ON resistance: R  
= 38 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance:|Y | = 7.0 S (typ.)  
fs  
0.475  
1
4
Low leakage current: I  
= 10 μA (V  
= 30 V)  
DSS  
DS  
B
B
M
0.05  
0.65  
Enhancement mode: V = 1.3 to 2.5 V (V  
= 10 V, I = 1mA)  
th  
DS  
D
2.9±0.1  
A
0.8±0.05  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
S
0.025  
+0.1  
S
0.28  
0.17±0.02  
-0.11  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
+0.13  
-0.12  
1.12  
1.12  
V
30  
30  
V
V
V
DSS  
+0.13  
-0.12  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
+0.1  
0.28  
1．Source1 5．Drain2  
2．Gate1 6．Drain2  
3．Source2 7．Drain1  
-0.11  
V
±20  
4.2  
16.8  
GSS  
DC  
Drain current  
Pulse  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
D
A
4．Gate2  
8．Drain1  
I
DP  
JEDEC  
―
―
Single-device operation  
(Note 3a)  
P
P
P
P
1.48  
1.23  
0.58  
0.36  
D (1)  
Drain power  
dissipation  
(t = 5 s)  
JEITA  
Single-device value at  
dual operation  
(Note 3b)  
TOSHIBA  
2-3V1G  
(Note 2a)  
D (2)  
D (1)  
D (2)  
W
Weight: 0.017 g (typ.)  
Single-device operation  
(Note 3a)  
Drain power  
dissipation  
(t = 5 s)  
Circuit Configuration  
Single-device value at  
dual operation  
(Note 3b)  
(Note 2b)  
8
7
5
6
Single pulse avalanche energy  
E
2.86  
2.1  
mJ  
A
AS  
(Note 4)  
Avalanche current  
I
AR  
Repetitive avalanche energy  
Single-device value at dual operation  
(Note 2a, 3b, 5)  
E
0.12  
mJ  
AR  
Channel temperature  
T
150  
°C  
°C  
ch  
2
1
4
3
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Note: For Notes 1 to 6, refer to the next page.  
Marking (Note 6)  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
8
7
6
5
temperature/current/voltage and the significant change in temperature,  
etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage,  
etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the  
appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor  
Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and  
estimated failure rate, etc).  
8201  
＊
1
2
3
4
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with caution.  
Lot No.  
1
2007-01-16  
1234567

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