TPCP8201

更新时间： 2024-02-07 22:58:30

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	250K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)

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TPCP8201 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.2 A	最大漏极电流 (ID)：	4.2 A
最大漏源导通电阻：	0.077 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPCP8201 数据手册

TPCP8201

– V

4.5

Common source

3.8

3.5

8.0

6.0

4.5

Ta = 25°C

8.0

Common source

Ta = 25°C

3.8

3.5

Pulse test

6.0

Pulse test

3.2

3.0

3.2

3.0

= 2.8 V

1.0

0.2

0.4

0.6

0.8

Drain−source voltage

(V)

Drain−source voltage

(V)

– V

DS GS

2.0

1.6

1.2

0.8

Common source

Ta= 25℃

Common source

= 10 V

Pulse test

0.4

100

= 4A

Ta = −55°C

Gate−source voltage

(V)

Gate-source voltage

(V)

⎪Y ⎪ – I

– I

DS (ON) D

100

Common source

= 10 V

Pulse test

4.5

Ta = −55°C

100

= 10V

Common source

Ta = 25°C

Pulse test

0.1

0.3

Drain current

(A)

Drain current

(A)

2007-01-16

1 2 345 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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