TPCP8102

更新时间： 2024-01-28 20:32:10

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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7页	238K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS コ)

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TPCP8102 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	2-3V1K, 8 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.2 A	最大漏极电流 (ID)：	7.2 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.68 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPCP8102 数据手册

TPCP8102

− t

th(j−c)

1000

100

Device mounted on a glass-epoxy board (b) (Note 2b)

Device mounted on a glass-epoxy board (a) (Note 2a)

Single pulse

(2)

(1)

0.1

0.001

0.1

100

1000

0.01

Pulse width

(s)

Safe operating area

100

max (pulse) *

1 ms *

10 ms *

*: Single nonrepetitive pulse

Ta = 25°C

Curves must be derated

linearly with increase in

temperature.

max

DSS

0.1

Drain−source voltage

(V)

2006-11-17

1...3 4 567

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