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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 111K |  |
| 描述 | ||
| SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,109V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220 | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最大转折电压： | 109 V |
| 最大维持电流： | 180 mA | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 重复峰值反向电压： | 74 V | 子类别： | Breakover Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPC82B12 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,99V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220 |
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| TPC82B18 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,99V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220 |
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| TPC8301 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS Type (L2−MOSVI) |
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| TPC8301(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,3.5A I(D),SO |
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| TPC8302 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS Type (L2−MOSVI) |
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| TPC8303 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U−MOSII) |
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| TPC8303(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R |
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| TPC8305 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS Type (U−MOSII) |
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| TPC8305_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Lithium Ion Battery ApplicationsPortable Equipment ApplicationsNotebook PC Applications |
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| TPC8401 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (U−MOSII) |
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