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TPC8403

更新时间： 2024-10-01 22:28:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 311K
描述
Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type (P Channel U-MOSII/N Channel U-MOSII)

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TPC8403 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, 2-6J1E, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.85
雪崩能效等级（Eas）：46.8 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.046 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPC8403 数据手册

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TPC8403  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type  
(P Channel U-MOSII/N Channel U-MOSII)  
TPC8403  
Motor Drive Applications  
Notebook PC Applications  
Unit: mm  
Portable Equipment Applications  
•
•
Low drain-source ON resistance: P Channel R  
N Channel R  
High forward transfer admittance: P Channel |Y | = 6.2 S (typ.)  
fs  
= 45 mΩ (typ.)  
= 25 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
DS (ON)  
N Channel |Y | = 7.8 S (typ.)  
fs  
•
•
Low leakage current:  
Enhancement mode  
P Channel I  
= −10 µA (V = −30 V)  
DS  
DSS  
N Channel I  
= 10 µA (V  
DS  
= 30 V)  
DSS  
: P Channel V = −1.0~−2.2 V (V  
th  
= −10 V, I = −1 mA)  
D
DS  
= 10 V, I = 1 mA)  
: N Channel V = 1.3~2.5 V (V  
th  
DS  
D
Maximum Ratings  
=
(Ta 25°C)  
Rating  
P Channel N Channel  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Unit  
V
−30  
−30  
±20  
−4.5  
−18  
30  
30  
±20  
6
V
V
V
DSS  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GSS  
TOSHIBA  
2-6J1E  
DC  
Drain current  
Pulse  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
D
A
Weight: 0.080 g (typ.)  
I
24  
DP  
Single-device operation  
(Note 3a)  
Drain power  
dissipation  
(t = 10s)  
P
P
P
P
1.5  
1.1  
1.5  
1.1  
D(1)  
Single-device value at  
dual operation (Note 3b)  
Circuit Configuration  
(Note 2a)  
D(2)  
D(1)  
D(2)  
W
8
7
6
5
Single-device operation  
(Note 3a)  
Drain power  
dissipation  
(t = 10s)  
0.75  
0.75  
Single-device value at  
dual operation (Note 3b)  
0.45  
26.3  
0.45  
46.8  
(Note 2b)  
Single pulse avalanche energy  
Avalanche current  
E
mJ  
A
AS  
(Note 4a) (Note 4b)  
I
−4.5  
6
AR  
1
2
3
4
N-ch  
P-ch  
Repetitive avalanche energy  
Single-device value at operation  
E
0.11  
150  
mJ  
AR  
(Note 2a, 3b, 5)  
Channel temperature  
T
°C  
°C  
ch  
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
Note 1, Note 2ab, Note 3ab, Note 4and Note 5: See the next page.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
1
2004-07-06  
1234567...11

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与TPC8403相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPC8403_06 TOSHIBA

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 		Motor Drive Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications
TPC8405 TOSHIBA

获取价格

 		Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (P Channel U−MOS IV/N Channel
TPC8405(TE12L.Q) TOSHIBA

获取价格

 		6000mA, 30V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
TPC8406-H TOSHIBA

获取价格

 		Field Effect Transistor Silicon P/N-Channel M
TPC8407 TOSHIBA

获取价格

 		MOSFETs Silicon P-/N-Channel MOS (U-MOS/U-MOS-H)
TPC8407(TE12L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,30V V(BR)DSS,9A I(D),SO
TPC8408 TOSHIBA

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 		PN Complementary
TPC8408,LQ(S TOSHIBA

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 		Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8-Pin SOP
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 		10.4 SVGA TFT LCD Celeron® M Touch Panel Comp
TPC-870H-C1E ADVANTECH

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 		10.4 SVGA TFT LCD Celeron® M Touch Panel Comp

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