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TPC8405

更新时间： 2024-10-02 06:01:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 269K
描述
Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (P Channel U−MOS IV/N Channel U-MOS III)

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TPC8405 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.86配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.033 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPC8405 数据手册

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TPC8405  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type  
(P Channel U−MOS IV/N Channel U-MOS III)  
TPC8405  
Lithium Ion Secondary Battery Applications  
Portable Equipment Applications  
Notebook PC Applications  
Unit: mm  
z Low drain-source ON resistance : P Channel R  
= 25 mΩ (typ.)  
= 20 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
N Channel R  
DS (ON)  
z High forward transfer admittance : P Channel |Y | = 12S (typ.)  
fs  
N Channel |Y | = 14S (typ.)  
fs  
z Low leakage current : P Channel I  
= −10 μA (V  
= −30 V)  
DSS  
DS  
N Channel I  
= 10 μA (V  
= 30 V)  
DSS  
DS  
z Enhancement-mode  
: P Channel V = −0.8 to −2.0 V (V  
= −10 V, I = −1 mA)  
th  
DS  
D
N Channel V = 1.3 to 2.5 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Rating  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Unit  
P Channel N Channel  
V
−30  
−30  
±20  
−4.5  
−18  
30  
30  
±20  
6
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
JEDEC  
JEITA  
―
―
DC  
Drain current  
Pulse  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
D
A
I
24  
DP  
TOSHIBA  
2-6J1E  
Single-device operation  
(Note 3a)  
Drain power  
dissipation  
(t = 10s)  
P
P
P
P
1.5  
1.1  
1.5  
1.1  
D (1)  
Weight: 0.080 g (typ.)  
Single-device value at  
dual operation (Note 3b)  
(Note 2a)  
D (2)  
D (1)  
D (2)  
W
Single-device operation  
(Note 3a)  
Drain power  
dissipation  
0.75  
0.75  
Circuit Configuration  
(t = 10s)  
Single-device value at  
dual operation (Note 3b)  
0.45  
13.2  
0.45  
23.4  
(Note 2b)  
Single pulse avalanche energy  
Avalanche current  
E
mJ  
A
AS  
(Note 4a) (Note 4b)  
I
−4.5  
6
AR  
Repetitive avalanche energy  
Single-device value at operation  
E
0.1  
mJ  
AR  
(Note 2a, 3b, 5)  
Channel temperature  
T
150  
°C  
°C  
ch  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note: For Notes 1 to 5, refer to the next page.  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2009-09-29  
1234567...11

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与TPC8405相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPC8405(TE12L.Q) TOSHIBA

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 		6000mA, 30V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
TPC8406-H TOSHIBA

获取价格

 		Field Effect Transistor Silicon P/N-Channel M
TPC8407 TOSHIBA

获取价格

 		MOSFETs Silicon P-/N-Channel MOS (U-MOS/U-MOS-H)
TPC8407(TE12L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,30V V(BR)DSS,9A I(D),SO
TPC8408 TOSHIBA

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 		PN Complementary
TPC8408,LQ(S TOSHIBA

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 		Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8-Pin SOP
TPC-870H ADVANTECH

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 		10.4 SVGA TFT LCD Celeron® M Touch Panel Comp
TPC-870H-C1E ADVANTECH

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 		10.4 SVGA TFT LCD Celeron® M Touch Panel Comp
TPC8A01 TOSHIBA

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 		FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE
TPC8A01_06 TOSHIBA

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 		DC-DC CONVERTER Notebook PC Portable Machines and Tools

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