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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 93.9 mJ | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.1 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 34 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPC8A01_06 | TOSHIBA |
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DC-DC CONVERTER Notebook PC Portable Machines and Tools |
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| TPC8A02-H | TOSHIBA |
获取价格 |
ＴOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in |
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| TPC8A02-H(TE12L,Q) | TOSHIBA |
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MOSFET N-CH SBD 16A SOP8 2-6J1B |
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| TPC8A03-H | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode |
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| TPC8A03-H(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,17A I(D),SO |
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| TPC8A03-H(TE12L,Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,17A I(D),SO |
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| TPC8A04-H | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 18000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-6J1B, 8 |
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| TPC8A04-H(TE12L,Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B |
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| TPC8A05-H | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 10000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, 2-6J1B, 8 PIN, |
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| TPC8A05-H(TE12L,Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,10A I(D),SO |
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