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TPC8402

更新时间： 2024-11-20 22:28:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 720K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (MOSVI/U−MOSII)

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TPC8402 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：2-6J1E, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.87
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：32.5 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPC8402 数据手册

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TPC8402  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (π−MOSVI/U−MOSII)  
TPC8402  
Lithium Ion Secondary Battery Applications  
Notebook PCs  
Unit: mm  
Portable Equipment Applications  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Low drain−source ON resistance  
: P Channel R  
N Channel R  
= 27 mΩ (typ.)  
= 37 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance  
: P Channel |Y | = 7 S (typ.)  
fs  
N Channel |Y | = 6 S (typ.)  
fs  
Low leakage current  
: P Channel I  
N Channel I  
= −10 µA (V  
= −30 V)  
= 30 V)  
DSS  
DSS  
DS  
= 10 µA (V  
DS  
Enhancement−mode  
: P Channel V = −0.8~ −2.0 V (V  
th DS  
= −10 V, I = −1mA)  
D
N Channel V = 0.8~2.0 V (V  
th DS  
= 10 V, I = 1mA)  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Rating  
P Channel N Channel  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Unit  
JEDEC  
JEITA  
―
―
V
−30  
−30  
±20  
−4.5  
−18  
30  
30  
±20  
5
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
TOSHIBA  
2-6J1E  
V
GSS  
Weight: 0.080 g (typ.)  
DC  
Drain current  
Pulse  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
D
A
I
20  
DP  
Single-device operation  
(Note 3a)  
Drain power  
dissipation  
(t = 10s)  
P
P
P
P
1.5  
1.0  
1.5  
1.0  
Circuit Configuration  
D (1)  
Single-device value at  
dual operation (Note 3b)  
(Note 2a)  
D (2)  
D (1)  
D (2)  
W
Single-device operation  
(Note 3a)  
Drain power  
dissipation  
0.75  
0.75  
(t = 10s)  
Single-device value at  
dual operation (Note 3b)  
0.45  
26.3  
0.45  
32.5  
(Note 2b)  
Single pulse avalanche energy  
E
mJ  
A
AS  
(Note 4a) (Note 4b)  
Avalanche current  
I
−4.5  
5
AR  
Repetitive avalanche energy  
Single-device value at operation  
E
0.10  
150  
mJ  
AR  
(Note 2a, Note 3b, Note 5)  
Channel temperature  
T
°C  
°C  
ch  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Note: For (Note 1), (Note 2a), (Note 2b), (Note 3a), (Note 3b), (Note 4a), (Note 4b) and (Note 5), please refer to the  
next page.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
1
2002-05-07  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPC8402(TE12L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,30V V(BR)DSS,4.5A I(D),SO
TPC8403 TOSHIBA

获取价格

 		Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type (P Channel U-MOSII/N Channel U-MOSII)
TPC8403_06 TOSHIBA

获取价格

 		Motor Drive Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications
TPC8405 TOSHIBA

获取价格

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TPC8405(TE12L.Q) TOSHIBA

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 		6000mA, 30V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
TPC8406-H TOSHIBA

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 		Field Effect Transistor Silicon P/N-Channel M
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 		PN Complementary
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获取价格

 		Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8-Pin SOP

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