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TPC8401

更新时间： 2024-10-01 22:28:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 751K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (U−MOSII)

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TPC8401 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：46.8 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.065 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPC8401 数据手册

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TPC8401  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (U−MOSII)  
TPC8401  
Lithium Ion Secondary Battery Applications  
Portable Equipment Applications  
Notebook PCs  
Unit: mm  
ꢀ Low drain−source ON resistance  
: P Channel R  
N Channel R  
= 27 mΩ (typ.)  
= 14 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
DS (ON)  
ꢀ High forward transfer admittance  
: P Channel |Y | = 7 S (typ.)  
fs  
N Channel |Y | = 8 S (typ.)  
fs  
ꢀ Low leakage current  
: P Channel I  
= −10 µA (V  
= −30 V)  
= 30 V)  
DSS  
DSS  
DS  
N Channel I  
= 10 µA (V  
DS  
ꢀ Enhancement−mode  
: P Channel V = −0.8~ −2.0 V (V  
= −10 V, I = −1mA)  
D
th  
DS  
N Channel V = 0.8~2.5 V (V  
th DS  
= 10 V, I = 1mA)  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Rating  
P Channel N Channel  
Characteristics  
Symbol  
Unit  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain-source voltage  
V
−30  
−30  
±20  
−4.5  
−18  
30  
30  
±20  
6
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
TOSHIBA  
2-6J1E  
V
GSS  
Weight: 0.080 g (typ.)  
DC  
Drain current  
Pulse  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
D
A
I
24  
DP  
Single-device operation  
(Note 3a)  
Drain power  
dissipation  
(t = 10s)  
P
P
P
P
1.5  
1.0  
1.5  
1.0  
D (1)  
Circuit Configuration  
Single-device value at  
dual operation (Note 3b)  
(Note 2a)  
D (2)  
D (1)  
D (2)  
W
Single-device operation  
(Note 3a)  
Drain power  
dissipation  
0.75  
0.75  
(t = 10s)  
Single-device value at  
dual operation (Note 3b)  
0.45  
26.3  
0.45  
46.8  
(Note 2b)  
Single pulse avalanche energy  
E
mJ  
A
AS  
(Note 4a) (Note 4b)  
Avalanche current  
I
−4.5  
6
AR  
Repetitive avalanche energy  
Single-device value at operation  
E
0.10  
150  
mJ  
AR  
(Note 2a, 3b, 5)  
Channel temperature  
T
°C  
°C  
ch  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Note: For (Note 1), (Note 2a), (Note 2b), (Note 3a), (Note 3b), (Note 4a), (Note 4b) and (Note 5), please refer to the  
next page.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
1
2002-05-17  
1234567...11

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与TPC8401相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPC8402 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (MOSVI/U−MOSII)
TPC8402(TE12L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,30V V(BR)DSS,4.5A I(D),SO
TPC8403 TOSHIBA

获取价格

 		Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type (P Channel U-MOSII/N Channel U-MOSII)
TPC8403_06 TOSHIBA

获取价格

 		Motor Drive Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications
TPC8405 TOSHIBA

获取价格

 		Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (P Channel U−MOS IV/N Channel
TPC8405(TE12L.Q) TOSHIBA

获取价格

 		6000mA, 30V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
TPC8406-H TOSHIBA

获取价格

 		Field Effect Transistor Silicon P/N-Channel M
TPC8407 TOSHIBA

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 		MOSFETs Silicon P-/N-Channel MOS (U-MOS/U-MOS-H)
TPC8407(TE12L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,30V V(BR)DSS,9A I(D),SO
TPC8408 TOSHIBA

获取价格

 		PN Complementary

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