TPC8301

更新时间： 2024-10-01 22:28:19

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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7页	433K
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Silicon P Channel MOS Type (L2−MOSVI)

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TPC8301 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	2-6J1E, 8 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	16 mJ	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.19 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	功耗环境最大值：	2 W
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPC8301 数据手册

TPC8301

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L²−π−MOSVI)

TPC8301

Lithium Ion Battery Applications

Portable Equipment Applications

Notebook PCs

Unit: mm

ꢀ Small footprint due to small and thin package

ꢀ Low drain−source ON resistance : R

= 95 mΩ (typ.)

DS (ON)

ꢀ High forward transfer admittance : |Y | = 4 S (typ.)

ꢀ Low leakage current : I

= −10 µA (max) (V

= −30 V)

DSS

= −10 V, I = −1 mA)

ꢀ Enhancement−mode : V = −0.8~ −2.0 V (V

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain−source voltage

Symbol

Rating

Unit

−30

±20

−3.5

−14

DSS

Drain−gate voltage (R

Gate−source voltage

= 20 kΩ)

DGR

GSS

D C

(Note 1)

Drain current

Pulse

JEDEC

JEITA

―

Single-device

1.5

Drain power

dissipation

(t = 10 s)

D (1)

operation (Note 3a)

Single-devece value

at dual operation

(Note 3b)

TOSHIBA

2-6J1E

1.0

D (2)

D (1)

D (2)

(Note 2a)

Weight: 0.080 g (typ.)

Single-device

0.75

0.45

Drain power

dissipation

(t = 10 s)

operation (Note 3a)

Single-devece value

at dual operation

(Note 3b)

(Note 2b)

Circuit Configuration

Single pulse avalanche energy

(Note 4)

Avalanche current

−3.5

0.10

Repetitive avalanche energy

(Note 2a, Note 3b, Note 5)

Channel temperature

150

℃

Storage temperature range

−55～150

stg

Note: For (Note 1), (Note 2a), (Note 2b), (Note 3a), (Note 3b), (Note 4)

and (Note 5), please refer to the next page.

This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with

caution.

2002-05-17

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