TPC8301

更新时间： 2024-11-20 22:28:19

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	433K
描述
Silicon P Channel MOS Type (L2−MOSVI)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TPC8301 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	2-6J1E, 8 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	16 mJ	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.19 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	功耗环境最大值：	2 W
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPC8301 数据手册

TPC8301

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L²−π−MOSVI)

TPC8301

Lithium Ion Battery Applications

Portable Equipment Applications

Notebook PCs

Unit: mm

ꢀ Small footprint due to small and thin package

ꢀ Low drain−source ON resistance : R

= 95 mΩ (typ.)

DS (ON)

ꢀ High forward transfer admittance : |Y | = 4 S (typ.)

ꢀ Low leakage current : I

= −10 µA (max) (V

= −30 V)

DSS

= −10 V, I = −1 mA)

ꢀ Enhancement−mode : V = −0.8~ −2.0 V (V

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain−source voltage

Symbol

Rating

Unit

−30

±20

−3.5

−14

DSS

Drain−gate voltage (R

Gate−source voltage

= 20 kΩ)

DGR

GSS

D C

(Note 1)

Drain current

Pulse

JEDEC

JEITA

―

Single-device

1.5

Drain power

dissipation

(t = 10 s)

D (1)

operation (Note 3a)

Single-devece value

at dual operation

(Note 3b)

TOSHIBA

2-6J1E

1.0

D (2)

D (1)

D (2)

(Note 2a)

Weight: 0.080 g (typ.)

Single-device

0.75

0.45

Drain power

dissipation

(t = 10 s)

operation (Note 3a)

Single-devece value

at dual operation

(Note 3b)

(Note 2b)

Circuit Configuration

Single pulse avalanche energy

(Note 4)

Avalanche current

−3.5

0.10

Repetitive avalanche energy

(Note 2a, Note 3b, Note 5)

Channel temperature

150

℃

Storage temperature range

−55～150

stg

Note: For (Note 1), (Note 2a), (Note 2b), (Note 3a), (Note 3b), (Note 4)

and (Note 5), please refer to the next page.

This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with

caution.

2002-05-17

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

TPC8301 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TPC8302	TOSHIBA	类似代替	Silicon P Channel MOS Type (L2−MOSVI)

与TPC8301相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TPC8301(TE12L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,3.5A I(D),SO
TPC8302	TOSHIBA	获取价格	Silicon P Channel MOS Type (L2−MOSVI)
TPC8303	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U−MOSII)
TPC8303(TE12L)	TOSHIBA	获取价格	Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
TPC8305	TOSHIBA	获取价格	Silicon P Channel MOS Type (U−MOSII)
TPC8305_06	TOSHIBA	获取价格	Lithium Ion Battery ApplicationsPortable Equipment ApplicationsNotebook PC Applications
TPC8401	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (U−MOSII)
TPC8402	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (MOSVI/U−MOSII)
TPC8402(TE12L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,30V V(BR)DSS,4.5A I(D),SO
TPC8403	TOSHIBA	获取价格	Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type (P Channel U-MOSII/N Channel U-MOSII)

与TPC8301相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TPC8301

TPC8301 技术参数

TPC8301 数据手册

TPC8301 替代型号

与TPC8301相关器件

与TPC8301相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TPC8301

TPC8301 技术参数

TPC8301 数据手册

TPC8301 替代型号

与TPC8301相关器件

与TPC8301相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？