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TPC8301(TE12L)

更新时间： 2024-10-02 21:16:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
7页 432K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,3.5A I(D),SO

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TPC8301(TE12L) 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.81最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

TPC8301(TE12L) 数据手册

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TPC8301  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2−π−MOSVI)  
TPC8301  
Lithium Ion Battery Applications  
Portable Equipment Applications  
Notebook PCs  
Unit: mm  
ꢀ Small footprint due to small and thin package  
ꢀ Low drain−source ON resistance : R  
= 95 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
ꢀ High forward transfer admittance : |Y | = 4 S (typ.)  
fs  
ꢀ Low leakage current : I  
= −10 µA (max) (V  
= −30 V)  
DSS  
DS  
= −10 V, I = −1 mA)  
ꢀ Enhancement−mode : V = −0.8~ −2.0 V (V  
th  
DS  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain−source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−30  
−30  
±20  
−3.5  
−14  
V
V
V
DSS  
Drain−gate voltage (R  
Gate−source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
D C  
(Note 1)  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse  
I
DP  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Single-device  
P
P
P
P
1.5  
Drain power  
dissipation  
(t = 10 s)  
D (1)  
operation (Note 3a)  
W
Single-devece value  
at dual operation  
(Note 3b)  
TOSHIBA  
2-6J1E  
1.0  
D (2)  
D (1)  
D (2)  
(Note 2a)  
Weight: 0.080 g (typ.)  
Single-device  
0.75  
0.45  
Drain power  
dissipation  
(t = 10 s)  
operation (Note 3a)  
W
Single-devece value  
at dual operation  
(Note 3b)  
(Note 2b)  
Circuit Configuration  
Single pulse avalanche energy  
E
16  
mJ  
A
AS  
(Note 4)  
Avalanche current  
I
−3.5  
0.10  
AR  
Repetitive avalanche energy  
E
mJ  
AR  
(Note 2a, Note 3b, Note 5)  
Channel temperature  
T
150  
℃
℃
ch  
Storage temperature range  
T
−55～150  
stg  
Note: For (Note 1), (Note 2a), (Note 2b), (Note 3a), (Note 3b), (Note 4)  
and (Note 5), please refer to the next page.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with  
caution.  
1
2002-05-17  
1234567

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