TPC8302

更新时间： 2024-10-01 22:28:19

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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Silicon P Channel MOS Type (L2−MOSVI)

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TPC8302 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, 2-6J1E, 8 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.86
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	16 mJ
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A	最大漏极电流 (ID)：	3.5 A
最大漏源导通电阻：	0.17 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
功耗环境最大值：	2 W	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPC8302 数据手册

TPC8302

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L −π−MOSVI)

TPC8302

Lithium Ion Battery Applications

Portable Equipment Applications

Notebook PCs

Unit: mm

ꢀ 2.5 V Gate drive

ꢀ Small footprint due to small and thin package

ꢀ Low drain−source ON resistance: R

= 100 mΩ (typ.)

DS (ON)

ꢀ High forward transfer admittance: |Y | = 5 S (typ.)

ꢀ Low leakage current: I

= −10 µA (max) (V

ꢀ Enhancement−mode: V = −0.5~ −1.1 V (V

= −20 V)

= −10 V, I = −200 µA)

DSS

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain−source voltage

−20

±12

−3.5

−14

DSS

Drain−gate voltage (R

Gate−source voltage

= 20 kΩ)

DGR

GSS

D C

(Note 1)

JEDEC

JEITA

―

Drain current

Pulse

Single-device

1.5

Drain power

dissipation

(t = 10s)

D (1)

TOSHIBA

2-6J1E

operation (Note 3a)

Single-devece value

at dual operation

(Note 3b)

Weight: 0.080 g (typ.)

1.0

D (2)

D (1)

(Note 2a)

Single-device

0.75

0.45

Drain power

dissipation

(t = 10s)

operation (Note 3a)

Circuit Configuration

Single-devece value

at dual operation

(Note 3b)

D 2)

(Note 2b)

Single pulse avalanche energy

−3.5

0.1

(Note 4)

Avalanche current

Repetitive avalanche energy

(Note 2a, Note 3b, Note 5)

Channel temperature

150

℃

Storage temperature range

−55～150

stg

Note: For (Note 1), (Note 2a), (Note 2b), (Note 3a), (Note 3b), (Note 4)

and (Note 5), please refer to the next page.

This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.

2002-05-17

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