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TPC8228-H

更新时间： 2024-10-02 21:18:39

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TPC8228-H 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	3.8 A	最大漏源导通电阻：	0.064 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPC8228-H

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)

TPC8228-H

1. Applications

•

DC-DC Converters

•

CCFL Inverters

2. Features

(1) Small, thin package

(2) High-speed switching

(3) Small gate charge: QSW = 2.6 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 38 mΩ (typ.)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 60 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1, 3: Source

2, 4: Gate

5, 6, 7, 8: Drain

SOP-8

2012-10-17

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TPC8228-H,LQ	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor
TPC8229-H	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal
TPC8229-H(TE12L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,3.2A I(D),SO
TPC8229-H(TE12L,Q)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,3.2A I(D),SO
TPC82A12	ETC	获取价格	SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE\|109V V(BO) MAX\|300MA I(S)\|TO-220
TPC82A18	STMICROELECTRONICS	获取价格	SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,109V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220
TPC82B12	STMICROELECTRONICS	获取价格	SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,99V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220
TPC82B18	STMICROELECTRONICS	获取价格	SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,99V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220
TPC8301	TOSHIBA	获取价格	Silicon P Channel MOS Type (L2−MOSVI)
TPC8301(TE12L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,3.5A I(D),SO