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| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.087 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPC8229-H(TE12L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,3.2A I(D),SO |
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| TPC8229-H(TE12L,Q) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,3.2A I(D),SO |
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| TPC82A12 | ETC |
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SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|109V V(BO) MAX|300MA I(S)|TO-220 |
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| TPC82A18 | STMICROELECTRONICS |
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SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,109V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220 |
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| TPC82B12 | STMICROELECTRONICS |
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SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,99V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220 |
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| TPC82B18 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,99V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220 |
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| TPC8301 | TOSHIBA |
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Silicon P Channel MOS Type (L2−MOSVI) |
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| TPC8301(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,3.5A I(D),SO |
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| TPC8302 | TOSHIBA |
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Silicon P Channel MOS Type (L2−MOSVI) |
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| TPC8303 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U−MOSII) |
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