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TPC8224-H PDF预览

TPC8224-H

更新时间： 2024-10-02 19:02:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 362K
描述
TRANSISTOR 8000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, THIN, 2-5R1S, SOP-8, FET General Purpose Small Signal

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TPC8224-H 技术参数

生命周期：End Of Life零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.69配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.034 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPC8224-H 数据手册

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TPC8224-H  
MOSFET シリコンNチャネルMOS形(U-MOS-H)  
TPC8224-H  
1. 用途  
•
•
•
高効率DC-DCコンバータ用  
ノートブックPC用  
携帯電子機器用  
2. 特長  
(1) 小型, 薄型で実装面積が小さい。  
(2) スイッチングスピードが速い。  
(3) ゲート入力電荷量が小さい。: QSW = 1.9 nC (標準)  
(4) オン抵抗が低い。: RDS(ON) = 27 mΩ (標準) (VGS = 4.5 V)  
(5) 漏れ電流が低い。: IDSS = 10 µA (最大) (VDS = 30 V)  
(6) 取り扱いが簡単な, エンハンスメントタイプです。: Vth = 1.3.2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)  
3. 外観と内部回路構成図  
1, 3: ソース  
2, 4: ゲート  
5, 6, 7, 8: ドレイン  
SOP-8  
4. 絶対最大定格(注) (特に指定のない限り, Ta = 25)  
項目  
記号  
定格  
単位  
ドレイン・ソース間電圧  
ゲート・ソース間電圧  
ドレイン電流(DC)  
VDSS  
VGSS  
ID  
30  
±20  
8
V
(注1)  
A
ドレイン電流(パルス)  
許容損失(1素子通電時)  
許容損失(2素子通電時1素子あたり)  
許容損失(1素子通電時)  
許容損失(2素子通電時1素子あたり)  
アバランシェエネルギー(単発)  
アバランシェ電流  
(注1)  
IDP  
32  
(t = 10 s)  
(t = 10 s)  
(t = 10 s)  
(t = 10 s)  
(注2), (注4)  
(注2), (注5)  
(注3), (注4)  
(注3), (注5)  
(注6)  
PD(1)  
PD(2)  
PD(1)  
PD(2)  
EAS  
IAR  
1.5  
W
1.1  
0.75  
0.45  
16  
mJ  
A
8
チャネル温度  
Tch  
150  
-55150  
保存温度  
Tstg  
注: 本製品の使用条件(使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても, 高負荷(高温および大電流/  
高電圧印加, 多大な温度変化等) で連続して使用される場合は, 信頼性が著しく低下するおそれがあります。  
弊社半導体信頼性ハンドブック(取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および  
個別信頼性情報(信頼性試験レポート, 推定故障率等) をご確認の上, 適切な信頼性設計をお願いします。  
2011-05-10  
Rev.2.0  
1
1234567...9

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