TN5320A

更新时间： 2024-09-20 03:27:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器小信号双极晶体管开关高压
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PNP High Voltage Amplifier

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TN5320A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	75 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-226
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TN5320A 数据手册

September 2007

TN5320A

PNP High Voltage Amplifier

•

This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.5 A.

Sourced from Process 34.

TO-226

1. Collector 2. Base 3. Emitter

Absolute Maximum Ratings* T_a=25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

Value

Units

V_CBO

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Current - Continuous

500

°C

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 ~ +150

* This ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These rating are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

3) All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.

Thermal Characteristics T_a=25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Max.

Units

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

1.0

8.0

mW/°C

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

125

°C/W

TN5320A Rev. 1.0.0

www.fairchildsemi.com

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