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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-226AE | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 100 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TN5322AJ18Z | TI |
获取价格 |
PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE |
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| TN5325 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| TN5325 | MICROCHIP |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
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| TN5325K1 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| TN5325K1-G | MICROCHIP |
获取价格 |
150mA, 250V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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| TN5325K1-G | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| TN5325K1GP002 | MICROCHIP |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
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| TN5325N3 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| TN5325N3-G | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.215A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| TN5325N3-G | MICROCHIP |
获取价格 |
215mA, 250V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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