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TN5325N8-G

更新时间： 2024-09-20 20:29:43

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	760K
描述
0.316A, 250V, 250ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-243AA

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TN5325N8-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.11
其他特性：	FAST SWITCHING	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	0.316 A	最大漏源导通电阻：	250 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-243AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.5 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TN5325N8-G 数据手册

TN5325

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

Features

General Description

• Low Threshold (2V Maximum)

The TN5325 is a low-threshold, Enhancement-mode

(normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS

structure and a well-proven silicon gate manufacturing

process. This combination produces a device with the

power handling capabilities of bipolar transistors and

the high input impedance and positive temperature

coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of

all MOS structures, this device is free from thermal

runaway and thermally induced secondary breakdown.

• High Input Impedance and High Gain

• Free from Secondary Breakdown

• Low CISS and Fast Switching Speeds

Applications

• Logic-level Interfaces (Ideal for TTL and CMOS)

• Solid State Relays

Microchip’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications

where very low threshold voltage, high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance

and fast switching speeds are desired.

• Battery-operated Systems

• Photo-voltaic Drives

• Analog Switches

• General Purpose Line Drivers

• Telecommunication Switches

Package Types

3-lead SOT-23 (TO-236AB)

3-lead TO-92

(Top view)

3-lead SOT-89 (243AA)

(Top view)

DRAIN

SOURCE

DRAIN

GATE

SOURCE

DRAIN

GATE

SOURCE

GATE

See Table 2-1, Table 2-2 and Table 2-3 for pin information.

 2017 Microchip Technology Inc.

DS20005709A-page 1

12 3 4 5 6 7...14

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TN5325N8-G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TN5325N8-G	SUPERTEX	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 0.316A I(D), 250V, 250ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
TN5325N8	SUPERTEX	功能相似	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

与TN5325N8-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TN5325N8GP002	MICROCHIP	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
TN5325PM	APITECH	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier, 5MHz Min, 125MHz Max, SM3, 4 PIN
TN5335	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN5335	MICROCHIP	获取价格	This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS st
TN5335K1	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN5335K1-G	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
TN5335K1-G	MICROCHIP	获取价格	110mA, 350V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
TN5335N8	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN5335N8-G	MICROCHIP	获取价格	0.11A, 350V, 15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-243AA
TN5335NW	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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