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TN5415A PDF预览

TN5415A

更新时间： 2024-11-07 22:19:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器高压
页数 文件大小 规格书
2页 29K
描述
PNP High Voltage Amplifier

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TN5415A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.45最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-226
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHzBase Number Matches：1

TN5415A 数据手册

 浏览型号TN5415A的Datasheet PDF文件第2页 
Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
TN5415A  
TO-226  
C
B
E
PNP High Voltage Amplifier  
This device is designed for use as high voltage drivers requiring  
collector currents to 100 mA. Sourced from Process 76. See  
MPSA92 for characteristics.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
200  
200  
V
V
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
4.0  
V
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
100  
mA  
°C  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
TN5415A  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
1.0  
8.0  
125  
W
mW/°C  
°C/W  
Rθ  
JC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
50  
Rθ  
°C/W  
JA  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
12

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