是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-92 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 7.92 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH INPUT IMPEDANCE, LOW THRESHOLD |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 250 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.215 A | 最大漏源导通电阻: | 7 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 23 pF |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BS170 | ONSEMI |
功能相似 |
Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TN5325N3GP002 | MICROCHIP |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | |
TN5325N3-G-P002 | MICROCHIP |
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MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3 | |
TN5325N8 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | |
TN5325N8-G | SUPERTEX |
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Power Field-Effect Transistor, 0.316A I(D), 250V, 250ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
TN5325N8-G | MICROCHIP |
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0.316A, 250V, 250ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-243AA | |
TN5325N8GP002 | MICROCHIP |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | |
TN5325PM | APITECH |
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Wide Band Medium Power Amplifier, 5MHz Min, 125MHz Max, SM3, 4 PIN | |
TN5335 | SUPERTEX |
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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | |
TN5335 | MICROCHIP |
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This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS st | |
TN5335K1 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |