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TN5325N3-G-P002

更新时间： 2024-09-20 14:38:39

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	760K
描述
MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3

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TN5325N3-G-P002 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	18 weeks
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	0.215 A	最大漏源导通电阻：	7 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	23 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	TS 16949
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TN5325N3-G-P002 数据手册

TN5325

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

Features

General Description

• Low Threshold (2V Maximum)

The TN5325 is a low-threshold, Enhancement-mode

(normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS

structure and a well-proven silicon gate manufacturing

process. This combination produces a device with the

power handling capabilities of bipolar transistors and

the high input impedance and positive temperature

coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of

all MOS structures, this device is free from thermal

runaway and thermally induced secondary breakdown.

• High Input Impedance and High Gain

• Free from Secondary Breakdown

• Low CISS and Fast Switching Speeds

Applications

• Logic-level Interfaces (Ideal for TTL and CMOS)

• Solid State Relays

Microchip’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications

where very low threshold voltage, high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance

and fast switching speeds are desired.

• Battery-operated Systems

• Photo-voltaic Drives

• Analog Switches

• General Purpose Line Drivers

• Telecommunication Switches

Package Types

3-lead SOT-23 (TO-236AB)

3-lead TO-92

(Top view)

3-lead SOT-89 (243AA)

(Top view)

DRAIN

SOURCE

DRAIN

GATE

SOURCE

DRAIN

GATE

SOURCE

GATE

See Table 2-1, Table 2-2 and Table 2-3 for pin information.

 2017 Microchip Technology Inc.

DS20005709A-page 1

12 3 4 5 6 7...14

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TN5325N3-G-P002 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TN5325N3-G	MICROCHIP	类似代替	215mA, 250V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

与TN5325N3-G-P002相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TN5325N8	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN5325N8-G	SUPERTEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.316A I(D), 250V, 250ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
TN5325N8-G	MICROCHIP	获取价格	0.316A, 250V, 250ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-243AA
TN5325N8GP002	MICROCHIP	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
TN5325PM	APITECH	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier, 5MHz Min, 125MHz Max, SM3, 4 PIN
TN5335	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN5335	MICROCHIP	获取价格	This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS st
TN5335K1	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN5335K1-G	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
TN5335K1-G	MICROCHIP	获取价格	110mA, 350V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

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