是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSOP1, TSSOP48,.8,20 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.75 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最小待机电流: | 1.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC55VCM416BSGN | TOSHIBA |
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1,048,576-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM | |
TC55VCM416BSGN55 | TOSHIBA |
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IC 1M X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO48, 12 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TS | |
TC55VCM416BTGN | TOSHIBA |
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1,048,576-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM | |
TC55VCM416BTGN55 | TOSHIBA |
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1,048,576-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM | |
TC55VCM416BTGN55LB | TOSHIBA |
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暂无描述 | |
TC55VD1618FF-133 | TOSHIBA |
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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | |
TC55VD1618FF-150 | TOSHIBA |
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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | |
TC55VD1618FF-167 | TOSHIBA |
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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | |
TC55VD1618FFI-133 | TOSHIBA |
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IC 1M X 18 ZBT SRAM, 4.2 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, | |
TC55VD1618FFI-150 | TOSHIBA |
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IC 1M X 18 ZBT SRAM, 3.8 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, |