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TC55VEM216AXBN55

更新时间： 2024-02-27 19:29:42
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 194K
描述
IC 256K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, Static RAM

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TC55VEM216AXBN55 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,30针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.92
最长访问时间：55 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e0
长度：7 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA48,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：2.5/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.000002 A
最小待机电流：1.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.035 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：6 mmBase Number Matches：1

TC55VEM216AXBN55 数据手册

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TC55VEM216AXBN40,55  
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS  
262,144-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM  
DESCRIPTION  
The TC55VEM216AXBN is a 4,194,304-bit static random access memory (SRAM) organized as 262,144 words by  
16 bits. Fabricated using Toshiba's CMOS Silicon gate process technology, this device operates from a single 2.3 to  
3.6 V power supply. Advanced circuit technology provides both high speed and low power at an operating current of  
3 mA/MHz and a minimum cycle time of 40 ns. It is automatically placed in low-power mode at 0.7 µA standby  
current (at VDD = 3 V, Ta = 25°C, typical) when chip enable (CE1 ) is asserted high or (CE2) is asserted low. There  
are three control inputs. CE1 and CE2 are used to select the device and for data retention control, and output  
enable (OE ) provides fast memory access. Data byte control pin ( LB , UB ) provides lower and upper byte access.  
This device is well suited to various microprocessor system applications where high speed, low power and battery  
backup are required. And, with a guaranteed operating extreme temperature range of −40° to 85°C, the  
TC55VEM216AXBN can be used in environments exhibiting extreme temperature conditions. The  
TC55VEM216AXBN is available in a plastic 48-ball BGA.  
FEATURES  
•
Access Times:  
•
Low-power dissipation  
Operating: 9 mW/MHz (typical)  
TC55VEM216AXBN  
•
•
•
•
•
•
Single power supply voltage of 2.3 to 3.6 V  
Power down features usingCE1 and CE2  
Data retention supply voltage of 1.5 to 3.6 V  
Direct TTL compatibility for all inputs and outputs  
Wide operating temperature range of −40° to 85°C  
Standby Current (maximum):  
40  
55  
Access Time  
40 ns  
40 ns  
40 ns  
25 ns  
55 ns  
55 ns  
55 ns  
30 ns  
CE1 Access Time  
CE2 Access Time  
OE Access Time  
3.6 V  
10 µA  
3.0 V  
5 µA  
•
Package:  
P-TFBGA48-0607-0.75AZ (Weight:  
g typ)  
PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)  
PIN NAMES  
48 PIN BGA  
A0~A17  
CE1 , CE2  
R/W  
Address Inputs  
Chip Enable  
1
2
3
4
5
6
A
B
LB  
OE  
UB  
A0  
A3  
A1  
A4  
A6  
A7  
A2  
CE2  
Read/Write Control  
Output Enable  
Data Byte Control  
I/O9  
CE1 I/O1  
I/O2 I/O3  
OE  
LB , UB  
C I/O10 I/O11 A5  
I/O1~I/O16 Data Inputs/Outputs  
D
E
F
V
I/O12 A17  
I/O13 OP  
I/O4  
V
DD  
SS  
DD  
V
Power  
DD  
GND  
NC  
Ground  
V
A16 I/O5  
V
SS  
No Connection  
Option  
I/O15 I/O14 A14 A15 I/O6 I/O7  
A12 A13 R/W I/O8  
A9 A10 A11 NC  
OP*  
G I/O16 NC  
NC A8  
*: OP pin must be open or connected to GND.  
H
2002-07-04 1/14  
1234567...14

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