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TC55VL818FFI-75

更新时间: 2024-09-19 19:59:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 900K
描述
IC 512K X 18 STANDARD SRAM, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PTICH, PLASTIC, LQFP-100, Static RAM

TC55VL818FFI-75 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP,针数:100
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
JESD-30 代码:R-PQFP-G100长度:20 mm
内存密度:9437184 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端子数量:100字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX18封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.7 mm
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD宽度:14 mm
Base Number Matches:1

TC55VL818FFI-75 数据手册

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