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TC55VEM208ASTN55

更新时间： 2024-09-18 22:16:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管栅
页数 文件大小 规格书
11页 167K
描述
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

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TC55VEM208ASTN55 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0长度：11.8 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8 mmBase Number Matches：1

TC55VEM208ASTN55 数据手册

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TC55VEM208ASTN40,55  
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS  
524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM  
DESCRIPTION  
The TC55VEM208ASTN is a 4,194,304-bit static random access memory (SRAM) organized as 524,288 words by  
8 bits. Fabricated using Toshiba's CMOS Silicon gate process technology, this device operates from a single 2.3 to  
3.6 V power supply. Advanced circuit technology provides both high speed and low power at an operating current of  
3 mA/MHz (typ) and a minimum cycle time of 40 ns. It is automatically placed in low-power mode at 0.7 µA standby  
current (typ) when chip enable (CE ) is asserted high. There are two control inputs. CE is used to select the device  
and for data retention control, and output enable (OE ) provides fast memory access. This device is well suited to  
various microprocessor system applications where high speed, low power and battery backup are required. The  
TC55VEM208ASTN is available in a plastic 32-pin thin-small-outline package (TSOP).  
FEATURES  
•
Access Times:  
•
Low-power dissipation  
Operating: 9 mW/MHz (typical)  
TC55VEM208ASTN  
•
•
•
•
•
•
Single power supply voltage of 2.3 to 3.6 V  
Power down features usingCE  
40  
55  
Data retention supply voltage of 1.5 to 3.6 V  
Direct TTL compatibility for all inputs and outputs  
Wide operating temperature range of −40° to 85°C  
Standby Current (maximum):  
Access Time  
40 ns  
40 ns  
25 ns  
55 ns  
55 ns  
30 ns  
CE Access Time  
OE Access Time  
3.6 V  
10 µA  
•
Package:  
3.0 V  
5 µA  
TSOPⅠ32-P-0.50  
(Weight:0.22 g typ)  
PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)  
32 PIN TSOP  
PIN NAMES  
A0~A18  
R/W  
Address Inputs  
Read/Write Control  
Output Enable  
Chip Enable  
1
32  
17  
OE  
CE  
16  
I/O1~I/O8  
Data Inputs/Outputs  
Power  
(Normal)  
V
DD  
GND  
Ground  
Pin No.  
Pin Name  
Pin No.  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
A18 A16 A14 A12  
25 26 27 28  
11  
12  
13  
A7  
29  
14  
A6  
30  
15  
A5  
16  
A4  
32  
OE  
A11  
17  
A9  
18  
A2  
A8  
19  
A1  
A13 R/W A17 A15  
V
DD  
20  
21  
22  
23  
24  
31  
Pin Name  
A3  
A0  
I/O1 I/O2 I/O3 GND I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 I/O8 CE  
A10  
2002-08-07 1/11  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TC55VEM216ABXN55 TOSHIBA

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 		IC 256K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, Sta
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 		IC 256K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TF
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 		IC 256K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, Sta
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