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TC55VD1618FF-150

更新时间: 2024-11-08 03:11:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
20页 885K
描述
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

TC55VD1618FF-150 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87
针数:100Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:3.8 ns最大时钟频率 (fCLK):150 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0长度:20 mm
内存密度:18874368 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端子数量:100字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.7 mm最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.39 mA最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD宽度:14 mm
Base Number Matches:1

TC55VD1618FF-150 数据手册

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