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TC55VEM208ASGN55

更新时间： 2024-09-19 21:22:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 106K
描述
IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LEAD FREE, TSOP1-32, Static RAM

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TC55VEM208ASGN55 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP1
包装说明：TSOP1, TSSOP32,.56,20针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.82
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32长度：11.8 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP32,.56,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：2.5/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最小待机电流：1.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL宽度：8 mm
Base Number Matches：1

TC55VEM208ASGN55 数据手册

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TC55VEM208ASGN40,55  
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS  
Lead-Free  
524,288-WORD BY 8-BIT STATIC RAM  
DESCRIPTION  
The TC55VEM208ASGN is a 4,194,304-bit static random access memory (SRAM) organized as 524,288 words by  
8 bits. Fabricated using Toshiba's CMOS Silicon gate process technology, this device operates from a single 2.3 to  
3.6 V power supply. Advanced circuit technology provides both high speed and low power at an operating current of  
3 mA/MHz (typ) and a minimum cycle time of 40 ns. It is automatically placed in low-power mode at 0.7 µA standby  
current (typ) when chip enable (CE ) is asserted high. There are two control inputs. CE is used to select the device  
and for data retention control, and output enable ( OE ) provides fast memory access. This device is well suited to  
various microprocessor system applications where high speed, low power and battery backup are required. The  
TC55VEM208ASGN is available in a plastic 32-pin thin-small-outline package (TSOP).  
FEATURES  
•
Access Times:  
•
Low-power dissipation  
Operating: 9 mW/MHz (typical)  
TC55VEM208ASGN  
•
•
•
•
•
•
Single power supply voltage of 2.3 to 3.6 V  
Power down features usingCE  
Data retention supply voltage of 1.5 to 3.6 V  
Direct TTL compatibility for all inputs and outputs  
Wide operating temperature range of −40° to 85°C  
Standby Current (maximum):  
40  
55  
Access Time  
40 ns  
40 ns  
25 ns  
55 ns  
55 ns  
30 ns  
CE Access Time  
OE Access Time  
3.6 V  
3.0 V  
10 µA  
5 µA  
•
•
Package:  
TSOPⅠ32-P-0.50  
Lead-Free  
(Weight:0.22 g typ)  
PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)  
32 PIN TSOP  
PIN NAMES  
A0~A18  
R/W  
Address Inputs  
Read/Write Control  
Output Enable  
Chip Enable  
1
32  
17  
OE  
CE  
16  
I/O1~I/O8  
Data Inputs/Outputs  
Power  
(Normal)  
V
DD  
GND  
Ground  
Pin No.  
Pin Name  
Pin No.  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
A18 A16 A14 A12  
25 26 27 28  
11  
12  
13  
A7  
29  
14  
A6  
30  
15  
A5  
16  
A4  
32  
OE  
A11  
17  
A9  
18  
A2  
A8  
19  
A1  
A13 R/W A17 A15  
V
DD  
20  
21  
22  
23  
24  
31  
Pin Name  
A3  
A0  
I/O1 I/O2 I/O3 GND I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 I/O8  
CE  
A10  
2003-07-11 1/11  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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