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TC55VD1618FF-133

更新时间: 2024-09-19 03:11:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA
页数 文件大小 规格书
20页 885K
描述
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

TC55VD1618FF-133 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87
针数:100Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.69最长访问时间:4.2 ns
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:18874368 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:18
功能数量:1端子数量:100
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.7 mm
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.37 mA
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
宽度:14 mmBase Number Matches:1

TC55VD1618FF-133 数据手册

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