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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0161 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STU410S | SAMHOP |
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STU411D | SAMHOP |
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Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) |
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| STU412S | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STU413S | SAMHOP |
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P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| STU419S | SAMHOP |
获取价格 |
P-Channel Logic Level EnhancementMode Field E ffect Transistor |
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| STU420S | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor |
|
| STU421S | SAMHOP |
获取价格 |
P -Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor |
|
| STU426S | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor |
|
| STU428S | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor |
|
| STU432S | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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