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STU600S

更新时间: 2024-11-02 06:14:31
品牌 Logo 应用领域
三合微科 - SAMHOP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 682K
描述
N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor

STU600S 数据手册

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S TU/D600S  
S amHop Microelectronics C orp.  
Aug 25,2006  
N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect Transistor  
PR ODUCT S UMMAR Y  
FE ATUR E S  
S uper high dense cell design for low R DS (ON).  
R ugged and reliable.  
ID  
VDS S  
R DS (ON) ( m  
) Max  
55 @ VG S = 10V  
70 @ VG S = 4.5V  
16A  
60V  
TO-252 and TO-251 P ackage.  
D
D
G
S
G
S TU S E R IE S  
TO-252AA(D-P AK)  
S TD S E R IE S  
TO-251(l-P AK)  
S
AB S OL UTE MAXIMUM R ATING S  
(T =25 C unles s otherwis e noted)  
A
Unit  
V
Limit  
60  
P arameter  
S ymbol  
Drain-S ource Voltage  
V
V
DS  
G S  
20  
V
G ate-S ource Voltage  
25 C  
16  
A
A
a
I
D
Drain C urrent-C ontinuous @ Ta  
70 C  
10.7  
-P ulsed b  
I
DM  
30  
15  
A
A
Drain-S ource Diode Forward C urrent a  
I
S
Ta= 25 C  
Maximum P ower Dissipation a  
Ta=70 C  
50  
35  
P
D
W
C
Operating J unction and S torage  
Temperature R ange  
TJ , TS TG  
-55 to 175  
THE R MAL C HAR AC TE R IS TIC S  
Thermal R esistance, J unction-to-C ase  
C/W  
C/W  
R
R
J C  
J A  
3
50  
Thermal R esistance, J unction-to-Ambient  

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