是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-251 | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 12 weeks |
风险等级: | 1.71 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 620 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.8 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.8 A |
最大漏源导通电阻: | 1.95 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-251 | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 70 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 15.2 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STI4N62K3 | STMICROELECTRONICS |
完全替代 |
N-channel 620 V, 1.7 Ω typ., 3.8 A SuperMESH | |
STF4N62K3 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 620 V, 1.7 Ω typ., 3.8 A SuperMESH |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STU4N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET,IPA | |
STU5025NLS | SAMHOP |
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N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor | |
STU5N52K3 | ETC |
获取价格 |
N-channel 525 V, 1.2 Ω, 4.4 A SuperMESH3⢠| |
STU5N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、1.3 Ohm典型值、3.5 A MDmesh M2功率MOSFET,I | |
STU5N62K3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET | |
STU5N65M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、1.15 Ohm典型值、4 A MDmesh M6功率MOSFET,IP | |
STU5N70M6-S | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道700 V、1.2 Ohm典型值、3.5 A MDmesh M6功率MOSFET,短 | |
STU5N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、1.50 Ohm典型值、4 A MDmesh K5功率MOSFET,IP | |
STU5N95K3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 950 V, 3 ohm typ, 4 A Zener-protected SuperMESH3 | |
STU5NA90 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220VAR |