STU4N62K3

更新时间： 2024-11-19 12:29:03

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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N-channel 620 V, 1.7 Î© typ., 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET

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STU4N62K3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	ROHS COMPLIANT, IPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	1.71	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	620 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.8 A	最大漏极电流 (ID)：	3.8 A
最大漏源导通电阻：	1.95 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15.2 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STU4N62K3 数据手册

STF4N62K3, STFI4N62K3, STI4N62K3,

STP4N62K3, STU4N62K3

N-channel 620 V, 1.7 Ω typ., 3.8 A SuperMESH3™ Power MOSFET

in TO-220FP, I²PAKFP, I²PAK, TO-220 and IPAK packages

Datasheet — production data

Features

TAB

Order codes V_DSSR_DS(on)max

I_D

P_TOT

STF4N62K3

STFI4N62K3

25 W

TO-220FP

I²PAK

STI4N62K3

STP4N62K3

STU4N62K3

620 V

< 2 Ω

3.8 A 70 W

70 W

TAB

70 W

TAB

I²PAKFP

■ 100% avalanche tested

■ Extremely high dv/dt capability

■ Gate charge minimized

TO-220

IPAK

■ Very low intrinsic capacitance

Figure 1.

Internal schematic diagram

■ Improved diode reverse recovery

characteristics

D(2,TAB)

■ Zener-protected

Applications

■ Switching applications

G(1)

Description

These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the

result of improvements applied to

STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology,

combined with a new optimized vertical structure.

These devices boast an extremely low on-

resistance, superior dynamic performance and

high avalanche capability, rendering them suitable

for the most demanding applications.

S(3)

AM01476v1

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STF4N62K3

STFI4N62K3

STI4N62K3

STP4N62K3

STU4N62K3

TO-220FP

I²PAKFP

I²PAK

4N62K3

Tube

TO-220

IPAK

August 2012

Doc ID 17548 Rev 4

1/19

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...19

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STU4N62K3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STI4N62K3	STMICROELECTRONICS	完全替代	N-channel 620 V, 1.7 Î© typ., 3.8 A SuperMESH
STF4N62K3	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 620 V, 1.7 Î© typ., 3.8 A SuperMESH

与STU4N62K3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STU4N80K5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，IPA
STU5025NLS	SAMHOP	获取价格	N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor
STU5N52K3	ETC	获取价格	N-channel 525 V, 1.2 Î©, 4.4 A SuperMESH3â¢
STU5N60M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、1.3 Ohm典型值、3.5 A MDmesh M2功率MOSFET，I
STU5N62K3	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET
STU5N65M6	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道650 V、1.15 Ohm典型值、4 A MDmesh M6功率MOSFET，IP
STU5N70M6-S	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道700 V、1.2 Ohm典型值、3.5 A MDmesh M6功率MOSFET，短
STU5N80K5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道800 V、1.50 Ohm典型值、4 A MDmesh K5功率MOSFET，IP
STU5N95K3	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 950 V, 3 ohm typ, 4 A Zener-protected SuperMESH3
STU5NA90	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220VAR

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